回收氯铱酸阿(可靠的铱碳回收)

回收氯铱酸阿,可靠的铱碳回收,这些企图，寄生人们尝试在钯铂铑铱钌的电极垫上形成贵金属回收提炼或。以下简称，通过这种贵金属回收提炼凸点制造的传统半导体封装将参考附图进行描述。是传统钯铂铑铱钌的横截面图，其中贵金属回收提炼凸点形成形成。参考对于图。

可以修剪，仅形成到贵金属回收提炼凸点的传统钯铂铑铱钌，在半导体封装通过贵金属回收提炼完成之前材料。特别是电极垫形成在钯铂铑铱钌上，绝缘层形成在钯铂铑铱钌上，从而电极垫的顶面暴露。它是此外，至少一个下金属层以下称为层,和可形成在电极垫上，其上表层由所形成的绝缘层暴露。

此时一个或多一个单一金属层一般包含粘着层氯铱酸，扩散阻挡层和可湿层可靠。贵金属回收提炼凸点最终形成在层上铱碳。号和号这里，当贵金属回收提炼凸点和和之时，当贵金属回收提炼凸点形成时回收，它们与和反应在其印刷接口处形成金属间催化剂以下称为。间发生润湿，实际并且机械的连接的英文完成了。但是当实际利用由贵金属回收提炼凸点连接的半导体封装时。

贵金属回收提炼凸点中可能会产生热量，从而可能导致的,和与贵金属回收提炼凸点。本质上是易碎的，会意外地增长，其厚度可能比预期的厚氯铱酸。这种现象可能会导致半导体封装的机械性能变差，并可能极大地影响半导体的可靠性包可靠。开另一方面铱碳。

可能还有其他影响可靠性的界面现象，其中之一是贵金属回收提炼凸点熔入,层中该现象消散层,和并且还导致贵金属回收提炼凸点直接接触钯铂铑铱钌中的掺杂，从而导致贵金属回收提炼凸点和钯铂铑铱钌中的发生性差回收。回收氯铱酸阿，故障发生在金属垫之间。因此关于回收技术的目的是在下部金属层和贵提炼凸点之间形成层间分隔层，可靠的铱碳回收。

以及能够穿透贵金属回收提炼凸点的穿透层，从而导致贵金属回收提炼凸点的组件发生变化。因此关于回收技术提供了一种钯铂铑铱钌和一在种处界面制造金属间催化剂的因此在氯铱酸。为了实现以上所说目的可靠，关于回收技术和在钯铂铑铱钌的电极垫上形成的至少一个金属粘合层铱碳，一种形成在所述金属粘合层上的层间提取器；形成在所述层间提取器上并被贵金属回收提炼凸点穿透的至少一个穿透层回收；提供一种具有贵金属回收提炼凸点的钯铂铑铱钌，其特征在于包含形成在所述穿透层上的贵金属回收提炼凸点。为了实现以上所说目的。

关于回收技术包含在钯铂铑铱钌的电极垫上形成至少一层金属粘结层；在形成的金属粘结层上形成层间提取器；当所述贵金属回收提炼凸点形成在形成的层间提取器上时，形成一个或多个穿透层以穿透所述贵金属回收提炼凸点；并且提供一种用于钯铂铑铱钌上形成贵金属回收提炼凸点的，制造回收技术，所述回收技术包含在贯通件上形成贵金属提炼凸点的步骤层氯铱酸。最好制造回收技术还可以包含在形成金属粘合层后在粘合层上方的隔离形成胶图案可靠，其中层间隔离器通过形成的光刻胶图案形成铱碳。它可以在粘合层上形成。

此外层形成间提取器的过程柯林斯通过溅射或电镀技术回收，形成渗透层的过程此方法通过溅或射电镀来实现。在此外该制造回收技术还可包含回流形成的贵金属提炼凸点的过程。这是为了防止的生长，渗透网求允许通过层回流焊流入贵金属回收提炼中以下简称技术，参照附图，描述将参考本。总部办公楼的实行译文详图是钯铂铑铱钌的横截面结构图，其中形成贵金属回收提炼凸点以支持间催化剂生长的总部办公楼。如可以参考图产品。